关于民承

About us

公司简介

Company Profile

MINCHENG

专注、专业、专心于功率器件
提供高品质产品和优质服务

        四川民承电子有限公司成立于2017年,现位于成都电子科大科技园,是一家致力于功率器件设计销售和应用服务的高新技术企业。

        公司开发出高性能、高可靠性的全系列SJ-MOSFET,中压MOSFET;新一代SUPER-IGBT和第七代Trench FS IGBT;以及车规级的高压SIC MOSFET/SBD。主要应用在光伏逆变、PCS、充电桩、OBC、BMS、MPPT、电机驱动、变频器、工业电源、适配器、家电等消费、工控和汽车领域。


MC-Power
Semiconductor
  • 成立时间

  • ⬆项

    专利

  • +个

    核心产品

企业文化

Company culture

  • 使命

    创造美好生活
  • 目标

    专业化、品牌化、国际化
  • 理念

    快、务实、创新、卓越
  • 定位

    高端功率半导体器件提供商

发展历程

Development history

  • 2023

    1、75A 650V第二代SUPER-IGBT定型 2、T7 Trench FS 绝缘栅产品系列及1200V 150A模块产品开发成功。 3、公司取得“科技型中小企业”“高新技术企业”、“创新型中小企业”认证。
  • 2022

    1、30A 650V SUPER-IGBT研发成功。 2、合作开发低栅压驱动、高鲁棒性的SiC MOS进入流片试产阶段。 3、合作开发第三代SJ- MOS芯片完成流片并小批量产。 4、合作开发第六代微沟槽IGBT。
  • 2021

    1、经过三年合作开发第二代SUPER-IGBT,开始流片试产。 2、汽车级MCR芯片流片生产。 3、快恢复系列SJ-MOS芯片开始流片和批量生产。
  • 2020

    1、合作开发第三代SiC器件。 2、SJ-MOS系列完善,开始合作开发快恢复系列SJ-MOS。 3、探索开发2.5代SUPER-IGBT 工艺平台。
  • 2019

    1、Multi-EPI工艺SJ-MOS 第二代芯片完成800V开发定型。 2、SGT工艺的250V中压产品产出。
  • 2018

    1、完成了VDMOS系列规格的芯片定型。 2、第一代Multi-EPI工艺SJ-MOS 500~650V芯片完成定型量产。 3、SGT工艺的中低压SR-MOS开始量产。 4、SUPER-IGBT开始研发第一代。
  • 2017

    1、产业链延伸成立民承电子。 2、合作开发500V Multi-EPI工艺S]-MOS并向更高电压布局。
  • 2016

    开发出SGT工艺的DFN5x6封装60V6mR产品,应用于MOTO Z 5V6A快充(涡轮快充技术号称“全球最快充电技术”)。
  • 2007

    成立四川立泰电子有限公司,主要从事功率器件的设计、封装和销售。
  • 2003

    厦门尚明达机电工业有限公司成立微电子事业部,从事半导体封装与测试业务。
  • 2023

  • 2022

  • 2021

  • 2020

  • 2019

  • 2018

  • 2017

  • 2016

  • 2007

  • 2003

荣誉资质

Honorary qualifications

  • 功率器件行业新锐奖

  • 高新技术企业证书

  • 管理体系认证证书

  • 管理体系认证证书